长鑫科技申请『半导体』器件及其制备方法、动态随机存储器专利，该『半导体』器件包括沟道结构、位线和字线(长鑫『半导体』集成电路有限公司)

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“『半导体』器件及其制备方法、动态随机存储器”的专利，公开号CN121218583A，申请日期为2024年6月。

专利摘要显示，一种『半导体』器件及其制备方法、三维动态随机存储器，该『半导体』器件包括：衬底；沟道结构，沟道结构沿第一方向设置于衬底上；位线，位线设置于沟道结构与衬底之间并与沟道结构电连接，位线沿第二方向延伸；字线，字线设置于沟道结构至少一侧并沿第三方向延伸；第一方向与衬底相交，第二方向平行于衬底，第三方向平行于衬底并与第二方向相交；其中，沟道结构包括填充材料和设置于填充材料外表面的氧化物『半导体』层。

天眼查资料显示，长鑫科技集团股份有限公司，成立于2016年，位于合肥市，是一家以从事计算机、通信和其他电子设备制造业为主的企业。企业注册资本6019279.7469万人民币。通过天眼查大数据分析，长鑫科技集团股份有限公司共对外投资了18家企业，参与招投标项目1085次，财产线索方面有商标™️信息236条，专利信息625条，此外企业还拥有行政许可34个。

声明：市场有风险，投资需谨慎。本文为AI基于第三方数据生成，仅供参考，不构成个人投资建议。