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长鑫科技申请『半导体』器件及其制备方法、动态随机存储器专利，该『半导体』器件包括沟道结构、位线和字线(长鑫『半导体』集成电路有限公司)

国家知识产权局信息显示，长鑫科技集团股份有限公司申请一项名为“『半导体』器件及其制备方法、动态随机存储器”的专利，公开号CN121218583A，申请日期为2024年6月。企业注册资本6019279.7469万人…