【CNMO科技消息】CNMO从韩媒获悉，三星正加速推进京畿道平泽第五工厂（P5）的建设复工，旨在抢占新一代高带宽内存（HBM）的先发产能。
三星
据『半导体』行业消息，三星平泽园区P5工地工人已开始密集搬运钢结构并接受安全培训，预示全面施工即将启动。公司计划最早于下月重启投资并动工。该项目原定去年启动，但因『半导体』市场恶化而延期。
据悉，三星拟通过P5扩建提升HBM供应能力。HBM作为垂直堆叠多块DRAM的高性能内存，可大幅提升数据处理速度。当前市场主导产品为第五代HBM3E（应用于『英伟达』Blackwell『芯片』），三星预计本月通过其质量验证。
在向『英伟达』批量供应HBM3E后，三星计划抢占第六代HBM4市场先机。HBM4将搭载于『英伟达』下一代AI加速GPU"Rubin"。尽管三星HBM研发进度较SK海力士落后约三个月，但公司拟通过强化产能实现快速追赶。
『英伟达』预计明年一季度完成HBM4质量验证，并于下半年敲定Rubin系列供应商及订单量。虽然SK海力士可能率先获单，但业界正密切关注三星的订单进展速度。
为提前向『英伟达』供应HBM4，三星计划在平泽第四工厂（P4）空置产线导入10纳米级第六代（1c）DRAM工艺，以行业最先进制程量产HBM4专用DRAM。目前三星已完成HBM4内部量产批准，正筹备样品生产以推进客户供应谈判。样品生产系大规模量产前向客户提供少量试制『芯片』的关键阶段。
『半导体』行业人士指出："内存市场预计明年起逐步复苏，HBM需求将持续增长。三星此举旨在预先确保产能以把握机遇。"KB证券分析师金东元预测："三星将通过明年一季度平泽园区扩建提升2026年HBM市场份额，且极有可能在四季度启动HBM4初期生产。"
