证券之星消息，根据『天眼查APP』数据显示晶合集成（688249）新获得一项发明专利授权，专利名为“在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及『半导体』器件”，专利申请号为CN202510262515.7，授权日为2025年6月13日。
专利摘要：本申请公开了在栅极之间的沟槽中沉积应力介质层的方法及『半导体』器件，方法包括：提供至少具有第一栅极和第二栅极的『半导体』结构；在『半导体』结构的表面形成第一应力介质层；蚀刻第一应力介质层；在『半导体』结构的表面形成第二应力介质层；第一应力介质层为按如下形成的压应力介质层：第一沉积处理，在『半导体』结构的表面沉积具有第一沉积厚度的第一介质层；对第一介质层的整个膜层进行第一等离子体处理，其中第一沉积厚度不超过第一等离子体处理的处理深度；基于设置的第一循环次数，多次循环执行第一沉积处理和第一等离子体处理，在『半导体』结构的表面形成压应力介质层。本申请可改善伪栅移除后的栅极结构的形貌，进而改善金属填充。
今年以来晶合集成新获得专利授权168个，较去年同期增加了3.07%。结合公司2024年年报财务数据，2024年公司在研发方面投入了12.84亿元，同比增21.41%。
数据来源：『天眼查APP』
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