理想状态下，MOS管的开关波形应与控制信号电压波形一致。然而实际应用里，MOS 管开关波形常常出现异常，这是怎么回事呢？
如下图所示，当输入信号为1MHz，幅度5V的方波信号，通过200Ω电阻R1连接到NMOS的栅极时。波形显示Ud电压最小值还在5V左右就又开始上升，即MOS管的开关并未完全导通。
这是为什么呢？
这一现象可由米勒平台解释，MOS管GS和GD之间分别有一个等效电容，电容两端电压不能突变，因此当栅极加上一个开关信号时，本质上就是对这些电容进行充放电，来使Vgs电压达到导通和关闭的门限。
因此，若栅极串联较大电阻，充放电电流小，电容充电速度慢，就会出现 MOS 管还未完全导通，下一个关闭信号就已到达的情况。
为解决未完全导通问题，将串联电阻 R1 缩小为 20Ω，此时 Vd 电压信号基本呈方波，MOS 管能完全导通。但新问题出现了，Ud 关断时有较长 “爬坡”。这表明，即便增大栅极驱动电流，MOS 管本身开关频率仍有上限。
在上述基础上，我们再将栅极驱动信号的频率降低到100kHz，这时我们观察到Ud和Ugs基本都是一个比较标准的方波信号（通过Ugs信号能观察到“米勒平台”），一般我们认为这样的驱动才是合格的。
当不完全导通和边沿爬坡较缓的现象，会产生哪些问题？
从功耗的计算公式P=U*I来看，当MOS管完全导通时，我们可以近似认为MOS管的损耗为0，即MOS的损耗仅存在于开关过程。
当 MOS 管不完全导通或者边沿较缓时，MOS 管本身的损耗就会显著加大，进而加重 MOS 管的发热情况。严重时，甚至会导致 MOS 管烧毁。
