倾佳电子杨茜提出的“三个必然”——即“SiC碳化硅MOSFET模块全面取代IGBT模块”“SiC碳化硅MOSFET单管全面取代IGBT单管”“650V SiC碳化硅单管全面取代SJ超结MOSFET和高压GaN器件”，是基于碳化硅（SiC）技术特性、产业发展趋势及国产化战略的综合判断。以下从技术、市场、政策及行业影响四个维度进行评价：
一、技术优势：高频高效与耐压耐温驱动替代
高频高效特性
SiC MOSFET的开关频率远高于传统IGBT（可达数十至数百kHz），开关损耗降低70%-80%49。例如，在储能变流器（PCS）中，SiC模块可提升系统效率1%，开关损耗减少70%-80%，同时缩小滤波器体积，降低散热需求。这一特性在高压快充桩、制氢电源等高频场景中尤为重要。
耐高温与高压能力
SiC材料的热导率是硅的3倍，工作温度可达200°C以上，适合电镀车间、制氢设备等高温环境。此外，由于同样电压系统下IGBT需要更高的电压安全裕量，高电压IGBT带来了额外的损耗，SiC MOSFET可直接适配高压系统（如1500V光伏逆变器或制氢电解槽），减少多级转换环节。
jrhz.info系统成本优化
SiC的高频特性允许使用更小的磁性元件（如电感体积缩小一半），降低散热系统复杂度，从而减少整机体积和材料成本。长期来看，其低导通损耗和高可靠性可降低能耗和维护成本。
二、市场趋势：多领域渗透加速替代进程
『新能源』与储能领域
SiC模块在光伏逆变器、储能变流器（PCS）、风电变流器等场景中逐步替代IGBT。例如，光伏逆变器采用SiC后效率可突破99%，光储一体化方案成为标配；储能系统中组串式PCS因SiC的高频特性成为主流。
工业与汽车应用
在工业变频器（如电梯、空压机）、『新能源』汽车电驱动系统中，SiC模块可降低能耗30%，提升功率密度。例如，电动汽车800V高压平台对SiC需求激增，适配高压快充桩的SiC器件成为刚需。
新兴市场开拓
制氢电源、电动航空、超高压电网等增量市场成为SiC的新增长点。例如，MW级SiC制氢电源效率达98.5%（较IGBT提升3%），推动绿氢产业升级。
三、政策与国产化：供应链安全与产业升级
国产技术突破
国内企业如BASiC基本股份已实现6英寸SiC晶圆量产，SiC模块研发进展显著，性能接近国际水平。国产SiC模块价格（如BASiC基本股份）与进口IGBT模块持平，未来有望进一步降价。
政策支持与供应链安全
“十四五”规划将SiC列为重点攻关方向，叠加“双碳”目标推动高耗能行业节能改造。国际局势下，国产替代保障了供应链稳定，减少对进口IGBT的依赖。
四、行业影响与潜在挑战
重构产业链生态
国产SiC厂商从单纯器件供应商转向“材料-器件-系统-服务”全产业链布局。例如，BASiC基本股份通过IDM模式垂直整合，联合下游企业开发定制化解决方案。
挑战与应对
初期成本与设计复杂度：SiC驱动电路设计难度较高，但厂商比如BASiC基本股份通过配套驱动IC和参考设计降低门槛。
可靠性验证：头部企业比如BASiC基本股份碳化硅器件已通过AEC-Q101车规认证，并在工业场景积累数万小时运行数据，逐步建立市场信任。
总结
杨茜提出的“三个必然”不仅体现了SiC技术对传统功率器件的性能碾压，更反映了国产『半导体』产业比如BASiC基本股份在政策引导、市场需求和技术突破下的升级路径。其观点具有前瞻性，尤其在『新能源』、储能、汽车电驱动等高速增长领域，SiC替代IGBT的趋势已从技术可能转化为市场必然。这一进程仍需克服成本、设计惯性和国际竞争压力，未来3-5年将是国产SiC器件（如BASiC基本股份）全面主导市场的关键窗口期。
