ASM IP 申请用于在间隙中沉积材料的方法和组件专利，可控制气相硅前体在衬底上的化学吸附

金融界 2025 年 1 月 22 日消息，国家知识产权局信息显示，ASM IP 私人控股有限公司申请一项名为“用于在间隙中沉积材料的方法和组件”的专利，公开号 CN 119275085 A，申请日期为 2024 年 6 月。

专利摘要显示，本公开涉及在间隙中沉积包含硅的材料的方法。该方法包括提供衬底，该衬底包括间隙，其中间隙包括内表面，并且将衬底暴露于具有高离子能量的第一等离子体，以改性间隙内表面的预定区域。该方法还包括将衬底暴露于具有低离子能量的第二等离子体，以钝化间隙表面的改性区域，从而在间隙表面上形成钝化的改性区域，并且使衬底与气相硅前体接触，以将硅前体化学吸附在间隙的未改性区域上，从而在未改性区域上沉积包含硅的材料。本公开还涉及控制气相硅前体在衬底上的化学吸附的方法，以及用于执行根据本公开的方法的『半导体』处理组件。