NREL校准池用于校准传递
型号 15150 校准参考电池
Abet Technologies 的太阳能参考电池是一款用于测定太阳模拟器辐照度水平的精密仪器。该传感器采用单晶硅太阳能电池，面积为 2×2cm（4cm²）。太阳能电池背面与设备连接，确保良好的散热性能。太阳能电池下方安装有 Pt100 RTD 温度传感器，用于监测设备温度。该设备未采用分流设计，因此可以测量完整的 I-V 曲线。太阳能电池由高品质熔融石英窗口保护，确保其在 320-1100 nm 波长范围内具有良好的光谱灵敏度。
每个参考太阳能电池都附带一份校准报告，其中显示了 IV 曲线图和以下参数：Isc、Voc、I、Vmpp、填充因子和效率。
标准型样品池配备熔融石英窗口。15150-KG5 型号配备 KG5 窗口。另有其他滤光片可选
低成本参考电池
15151 低成本参考电池
15151 型参考电池为校准太阳能电池计量提供了一种入门级方法。每个 10×10 mm 的电池都经过校准，在 AM1.5G 标准太阳光照下可提供 100mV 的输出电压，可使用任何电压表轻松读取。出厂时的校准精度为 6%。外壳尺寸为 55×36×7 mm。15151-KG5 型电池增加了一个 KG5 窗口，以更精确地匹配有机和非晶硅太阳能电池的光谱响应。出厂时的校准精度为 8%。
[间隔片]
多结太阳能电池的计量比单结太阳能电池更为复杂。由于这些电池由多层结构组成，通常需要使用多光源/LED太阳模拟器来调整各波段的辐照度比。我们的三结参考电池可用于为每个单结设定正确的辐照度。
该装置由4个1cm²的电池组成，安装在2cm×2cm的区域内。文中提供了三个独立组成电池的校准数据。每个组成电池均为单结电池，但其结构与三结电池完全相同。因此，每个组成电池都包含三层，其中只有一层具有电活性。
例如，中间组件电池由 InGaP（顶层）、InGaAs（中间层）和 Ge（底层）三层构成。只有 InGaAs 层被激活，因此测量的是一个单结 InGaAs 电池。由于顶部有一个（未激活的）InGaP 电池，光谱中的蓝色部分会被滤除。这导致 InGaAs 电池的光谱响应与普通三结电池不同。这样，您就可以测量 InGaAs 电池在普通三结电池堆叠结构中“看到”的情况，同时避免其他层对电流的限制作用。
15152 多结电池
例如，中间组件电池由 InGaP（顶层）、InGaAs（中间层）和 Ge（底层）三层构成。只有 InGaAs 层被激活，因此测量的是一个单结 InGaAs 电池。由于顶部有一个（未激活的）InGaP 电池，光谱中的蓝色部分会被滤除。这导致 InGaAs 电池的光谱响应与普通三结电池不同。这样，您就可以测量 InGaAs 电池在普通三结电池堆叠结构中“看到”的情况，同时避免其他层对电流的限制作用。
校准读数
15159 参考细胞读数
15159 型校准读数器可针对特定的 15150 型参考电池进行校准，当该电池暴露于一个 AM1.5G 太阳辐照度下时，读数显示为 100.0。该读数器也可出厂时已校准至 0.1 欧姆输入阻抗，并可与多种不同的电池配合使用，在标准太阳辐照度条件下显示其校准后的短路电流 (Isc)。
富临科技代理合作商；财富热线；134-234-49117，联系我们.讨论你的产品需求
