ASML首席执行官克里斯托夫・富凯（Christophe Fouquet，中文名傅恪礼）在公司总部接受彭博社专访时透露，High NA EUV光刻机预计将在2027至2028年间正式应用于先进制程的大规模量产。这一消息引发了『半导体』行业的广泛关注，尤其是对于那些正在推进新一代『芯片』制造技术的企业而言。
目前，英特尔代工在导入新一代图案化技术方面表现最为积极。其支持High NA EUV的Intel 14A节点计划于2027年正式推出。这一节点被视为英特尔在先进制程领域的重要突破，有望帮助其在全球『芯片』制造竞争中占据更有利的位置。
富凯表示，High NA EUV光刻机目前正由英特尔等客户进行测试。从测试结果来看，新设备在成像和分辨率方面表现优异，达到了预期目标。他进一步指出，ASML在2026年的重要任务之一是与客户紧密合作，将设备的停机时间降至最低，以确保大规模量产的顺利进行。
富凯还透露，ASML对未来10至15年的技术发展已有初步规划。公司已启动下一代Hyper NA EUV的研究工作，旨在为本世纪30年代的设备投运奠定基础。这一举措表明，ASML在光刻技术领域的创新步伐并未停歇，而是持续向更高精度、更高效率的方向迈进。
