光刻胶是一种光敏有机聚合物材料，主要用于『半导体』生产、微加工光刻工艺中，通过光照引起其化学性质变化，从而于基底表面形成精细图案。
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它主要成分通常包括：
1. 聚合物树脂：作为主体，提供基本成膜性、机械性能。
2. 光活性化合物〔光引发剂〕：其核心组分，于特定波长光线〔如紫外光、束〕照射下有化学反应，引发聚合物溶解性改变。
3. 溶剂：使光刻胶于涂覆前保持液态，便于通过旋涂方式形成均匀薄膜。
4. 添加剂：用于改善特定性能，如稳固性、粘附性或抗蚀刻能力。
基本工作原理、用途：
光刻胶被均匀涂覆于硅片基底上，经曝光后，受光照区域、未受光照区域溶解度于显影液中引发显著差异。通过显影步骤，可溶部分被去除，从而将掩模版上图形精确复制到光刻胶层上。此后，该图案可作为屏障，用于后续蚀刻、离子注入或金属沉积工艺，最终实现微纳器件生产。
根据曝光后溶解度变化方向，光刻胶主要分为两类：
正性光刻胶：曝光区域变得可溶，于显影时被溶解移除。
负性光刻胶：曝光区域有交联固化变得不可溶，未曝光部分于显影时被溶解。
