HD3602B 内置MOSFET锂电池保护『芯片』(hd3601『芯片』参数)

HD3602B 是一款内置 MOSFET 的单节锂电池保 护『芯片』。该『芯片』具有非常低的功耗和非常低 阻抗的内置 MOSFET。该『芯片』有充电过压, 充电过流,放电过压,放电过流,过热,短 路等各项保护等功能,确保电芯安全,高效 的工作。 HD3602B 采用 SOT23-5 封装,外围只需要一个 电阻和一个电容,应用极其简洁,工作安全 可靠。

特 性

1 内置 48 mΩ MOSFET

2 SOT23-5 封装

3 内置过温保护

4 可耐 9V 充电器电压

5 两重过放电流检测保护

6 超小静态电流和休眠电流A 静态工作电流为1.4 uA B 休眠电流为 0.3 uA

7 符合欧洲 "ROHS" 标准的无铅产品

应 用

单节锂离子可充电电池组

单节锂聚合物可充电电池组

特别声明:[HD3602B 内置MOSFET锂电池保护『芯片』(hd3601『芯片』参数)] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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