（来源：研报虎）
投资要点
事件：9月4日中微公司在第十三届『半导体』设备与核心部件及材料展上推出六款新设备，涵盖高深宽比&选择比刻蚀、ALD、EPI等设备。
刻蚀新品高深宽比CCP与金属刻蚀ICP，有望充分受益于制程演进：(1)公司新一代高深宽比CCP刻蚀机Primo UD-RIE基于成熟架构升级，配备六个反应腔，通过更高功率更低频率射频偏压电源，提供更高离子轰击能量，可以满足极高深宽比刻蚀的严苛要求，兼顾刻蚀精度与生产效率。目前我国NAND已实现200层+量产，并向300层发展；其通道孔深度超过5微米、深宽比大于60:1，显著推升对极高深宽比通孔刻蚀的需求。(2)高选择比ICP刻蚀Primo Menova设备擅长金属Al线、Al块刻蚀，广泛适用于先进逻辑和存储『芯片』制造，在刻蚀均一性、选择比与低底层损伤等方面表现突出，并集成高效腔体清洁及高温水蒸气除胶腔室设计，提升效率与稳定性；25年6月首台机已付运客户验证，进展顺利。先进逻辑与存储『芯片』的金属互连层数不断增加(28nm工艺约8–10层，7nm/5nm节点达13–14层)，对金属刻蚀的精度和均一性提出更严苛要求，公司ICP设备有望充分受益。
新品ALD覆盖多种先进制程金属，双腔EPI满足客户降本增效需求：(1)Preforma Uniflash系列ALD：覆盖TiN、TiAl、TaN三大材料，独创双反应台与多级混气设计，薄膜均一性和效率达到国际先进水平。金属栅作为先进逻辑器件的关键环节，对栅极薄膜的厚度控制、台阶覆盖率及颗粒污染提出极高要求，推动晶圆厂对高精度ALD设备需求加速释放。(2)PRIMIOEpita RP双腔减压外延：具备全球最小反应腔体积与多腔灵活扩展(至多可配置6腔)，降低OPEX与化学品消耗的同时，实现高生产效率，可满足先进逻辑、存储等多领域外延工艺需求。24年8月，该设备已付运到客户进行成熟制程和先进制程验证。
平台化布局加速落地：公司平台化布局覆盖刻蚀、薄膜、量检测及显示设备。截至2025年上半年末，已有6,800台等离子体刻蚀与化学薄膜反应腔在国内外155条产线实现量产，并形成规模化批量订单。同时，公司设立超微公司切入电子束检测领域，引入领军人才，加速检测设备布局。此次发布多款先进薄膜与刻蚀设备，平台化布局再次加速。
盈利预测与投资评级：我们维持公司2025-2027年归母净利润为24.3/34.0/44.5亿元，当前股价对应动态PE分别为51/37/28倍，维持“买入”评级。
风险提示：晶圆厂扩产节奏不及预期，新品研发&产业化不及预期等。
