青禾晶元携手全球顶尖力量,共探低温键合3D集成技术新未来!(北京青禾晶元)

2025年8月3日-4日,由中国科学院微电子研究所、先进微系统集成协会、西安电子科技大学、中国电子学会、中国电子材料行业协会、青禾晶元『半导体』科技(集团)有限责任公司共同主办的2025中国国际低温键合3D集成技术研讨会(LTB-3D 2025 Satellite in China)在天津盛大召开。作为国际『半导体』低温键合领域的重要会议,本届大会首次落地中国即引发行业瞩目,吸引了来自英国、新加坡、日本、奥地利、荷兰、德国等20余国的200余名顶尖专家及企业代表齐聚一堂,围绕低温键合3D集成技术展开深度交流,共同推动行业创新发展。

技术聚焦

低温键合引领『半导体』新趋势

本次大会围绕表面活化键合、混合键合与3D集成、新型低温键合工艺及材料等六大主题展开研讨,汇聚了全球顶尖研究成果:

国际权威分享:日本东京大学/『明星』️大学须贺唯知教授、武汉大学刘胜教授等11位专家发表主旨报告,涵盖键合技术的历史、现状与未来展望。

产学研深度结合:来自牛津大学、东京大学、中国科学院微电子研究所等机构的30余个邀请报告及口头报告,展示了低温键合技术在材料、工艺、器件等领域的最新突破。

出席大会主要嘉宾

青禾晶元

与行业共成长

青禾晶元始终致力于推动低温键合技术的研发与应用,在此次与国内外专家的会议中,我们深入探讨了技术难点与市场机遇,并展示了公司在低温键合设备及材料工艺领域的深厚积累:依托自主创新,青禾晶元已在低温键合领域形成独特技术优势;同时通过与国际顶尖机构及企业的协作交流,持续完善技术布局,助力产业链协同发展。未来,青禾晶元将继续深耕低温键合技术,为行业提供更高效的解决方案。

展望未来

低温键合技术的无限可能

在AI算力爆发、先进封装、化合『半导体』第三波材料浪潮需求的三重驱动下,低温键合技术将成为延续摩尔定律的核心技术路径,催生新一代异质集成解决方案,为中国『半导体』产业向高端制造升级提供重要契机。

青禾晶元期待与更多合作伙伴携手,共同推动低温键合技术的创新与应用,为行业发展注入新动力。

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