8 月 6 日消息，3D 存储器 IP 企业 NEO Semiconductor 公布了 X-HBM 超高带宽内存架构概念，宣称可实现 32000-bit 的超高位宽和 512Gb 的单层容量。
X-HBM 的两大技术基础是超高密度 I/O 通道和 NEO 此前提出的 X-DRAM 高容量 3D 内存。
该企业宣称可通过 0.5μm (500nm) 间距超精细混合键合在 HBM 所需 DRAM Die 上创造 32000-bit 超宽 I/O，而目前即将进入商业化的 HBM4 内存也仅有 2048-bit。
而在容量方面，NEO Semiconductor 称其现有技术可通过 300 层堆叠技术在单层 DRAM Die 上实现 300Gb 容量，这已经是当下 HBM 领域所用 24Gb Die 的 12.5 倍。而未来 X-HBM 中的单 Die 将可实现 500+ 层阵列堆叠，单 Die 容量随之提升到 512Gb (64GB)。
NEO Semiconductor 称按照传统的 2D DRAM HBM 技术演进，到 2038 年的 HBM8 才能实现 16384-bit I/O 和 80Gb 单 Die 容量，而基于 3D DRAM 的 X-HBM 将显著加速存储发展进程，助推 AI 算力飞跃。
