爱思开海力士申请单光子雪崩二极管及包括其的图像感测装置专利，公开了单光子雪崩二极管和图像感测装置(爱思开海力士『半导体』有限公司)

金融界2025年8月4日消息，国家知识产权局信息显示，爱思开海力士有限公司申请一项名为“单光子雪崩二极管及包括其的图像感测装置”的专利，公开号CN120417510A，申请日期为2025年01月。

专利摘要显示，本申请涉及单光子雪崩二极管及包括其的图像感测装置。公开了单光子雪崩二极管(SPAD)和图像感测装置。在实施方式中，一种单光子雪崩二极管(SPAD)包括：杂质结区域，其被配置为包括多个耗尽区域，其中，每个耗尽区域是在掺杂有第一导电类型的杂质的第一掺杂区域和掺杂有第二导电类型的杂质的第二掺杂区域之间形成的结；形成在杂质结区域上方并与基板的一个表面接触的输出节点；形成为围绕杂质结区域的保护环区域；以及与保护环区域间隔开并且设置在保护环区域的一侧的偏置节点。