南京中电芯谷申请单晶压电薄膜体声波谐振器制备方法专利，显著提高键合工艺的可靠性和稳定性(南京中电在哪)

金融界2025年8月1日消息，国家知识产权局信息显示，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司申请一项名为“一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法”的专利，公开号CN120415354A，申请日期为2025年04月。

专利摘要显示，本申请涉及一种单晶压电薄膜体声波谐振器的制备方法，其涉及『半导体』器件生产工艺领域，其包括如下步骤：S1在第一衬底上制备单晶压电薄膜与电极层；S2图形化单晶压电薄膜与电极层；S3支撑载片与第一衬底通过粘附层临时键合；S4去除第一衬底；S5在薄膜体上刻蚀出光刻通孔；S6沉积金属形成连接部与下电极；S7在第二衬底上加工出空腔结构；S8在第二衬底表面制备过渡层；S9去除第一部位；S10在第二衬底上制备键合层；S11在键合层上加工出连通孔并去除第二部位；S12键合下电极与第二衬底；S13去除支撑载片与粘附层。

天眼查资料显示，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司，成立于2018年，位于南京市，是一家以从事研究和试验发展为主的企业。企业注册资本1330万人民币。通过天眼查大数据分析，南京中电芯谷高频器件产业技术研究院有限公司共对外投资了2家企业，参与招投标项目7次，财产线索方面有商标™️信息7条，专利信息50条，此外企业还拥有行政许可9个。