近日，日本NAND Flash闪存大厂铠侠（Kioxia）宣布，将在今年内量产其第9代BiCS 3D NAND FLASH闪存技术的512Gb TLC产品已开始进行样品出货，预估将在今年度内（2026年3月底之前）进行量产。
铠侠表示，上述产品采用以第5代BiCS FLASH技术为基础的120层堆叠制程技术和最新的CMOS技术，和该公司2022年开始生产的第6代BiCS FLASH产品相比，写入性能提高61%、读取性能提高了12%，并且功耗改善了约30%（写入时改善36%、读取时改善27%）。
铠侠第9代BiCS FLASH 3D闪存产品利用四日市工厂生产，预估将应用于『智能手机』等用途。
值得一提的是，铠侠6月5日公布了中长期营运计划，目标在截至2029年度为止的5年内、将产能提高至2024年度的2倍。铠侠将在日本2座主要工厂（四日市工厂、北上工厂）扩增产线、增产AI『数据中心』用NAND Flash。
铠侠北上工厂“第2厂房（K2）”将在9月投产、生产第8代NAND Flash “BiCS8”，而铠侠将提高 “BiCS8”生产比重，目标在2026年3月将其营收规模超越目前产品。
编辑：芯智讯-林子
