等离子干法去胶是通过电离反应气体（如O₂、Ar等）产生高能活性粒子，在真空环境下实现对光刻胶的物理轰击与化学分解。相较于传统湿法工艺，其具有各向异性强（侧壁垂直度＞85°）、关键尺寸控制精度高（±5nm）、工艺稳定性好（批次波动＜2%）三大优势。晟鼎等厂商的远程等离子体设计可将电离效率稳定在±1.5%，同时减少对超低k介质等敏感材料的损伤。
核心工艺应用场景
1. 重布线层（RDL）工艺
在扇出型封装（FOWLP）中，等离子去胶可清除线路电镀后通孔内的光刻胶残留，使短路率降至0.5%以下。某企业采用GX-300设备后，RDL良率从92%提升至99.6%。该技术还能去除侧壁与底部的残留胶体，避免金属线路短路或接触阻抗异常。
2. 2.5D/3D集成
玻璃通孔（TGV）：处理深宽比＞10:1的通孔时，去胶均匀性达±3%，较湿法工艺缩短周期40%，且避免微裂纹风险。
硅通孔（TSV）：清除孔内残留胶体可使垂直互连电阻降低15%，保障『芯片』堆叠可靠性。
3. 倒装『芯片』（Flip Chip）
凸块（Bumping）工艺：UBM表面等离子活化使焊球剪切强度提升30%，有效改善焊接界面牢固性。
底部填充（Underfill）：处理后的基板接触角＜5°，填料空洞率下降70%，通过表面改性增强环氧树脂流动性。
关键技术优势分析
行业发展趋势
随着摩尔定律逼近物理极限，干法去胶技术正向三个方向发展：
高精度控制：机器学习驱动的工艺参数优化，满足3nm节点需求；
复合工艺开发：与原子层刻蚀（ALE）结合提升选择比至100:1；
绿色制造：无化学溶剂的特性契合碳中和目标。
典型设备案例分析
NCT-300设备采用仿真电圈设计，放电稳定性达±1.5%，配备自研软件可实现：
实时等离子体密度监控
自动终点检测（EPD）
工艺数据追溯分析
其处理8英寸晶圆的去胶速率可达3μm/min，碎片率＜0.01%。
