金融界2025年5月24日消息，国家知识产权局信息显示，上海功成『半导体』科技有限公司申请一项名为“一种用于热插拔的线性MOS开关管”的专利，公开号CN120034170A，申请日期为2025年02月。
专利摘要显示，本发明提供了一种用于热插拔的线性MOS开关管，涉及电力电子技术领域，包括：齐纳二极管D1、LDMOS M1、LDMOS M2、屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT1、LDMOS M3、屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT2，LDMOS M1的漏极分别与电阻R2、LDMOS M2的栅极电连接，LDMOS M1的源极与LDMOS M2的源极电连接，LDMOS M2的漏极分别与电阻R3、LDMOS M3的源极电连接，电阻R3与屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT1的栅极电连接，屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT1的漏极与屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT2的漏极电连接，屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT2的栅极与LDMOS M3的源极电连接，屏蔽栅沟槽MOS开关管SGT2的源极与LDMOS M3的漏极电连接。
天眼查资料显示，上海功成『半导体』科技有限公司，成立于2018年，位于上海市，是一家以从事通用设备制造业为主的企业。企业注册资本1414.9831万人民币。通过天眼查大数据分析，上海功成『半导体』科技有限公司共对外投资了3家企业，参与招投标项目3次，财产线索方面有商标™️信息37条，专利信息141条，此外企业还拥有行政许可6个。
