EG2113S『芯片』 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动『芯片』

1.特点

 高端悬浮自举电源设计,耐压可达 600V

 适应 5V、3.3V 输入电压

 最高频率支持 500KHZ

 低端 VCC 电压范围 2.8V-20V

 输出电流能力 IO+/- 2A/2A

 内建死区控制电路

 自带闭锁功能,彻底杜绝上、下管输出同时导通

 HIN 输入通道高电平有效,控制高端 HO 输出

 LIN 输入通道高电平有效,控制低端 LO 输出

 外围器件少

 静态电流小于 5uA,非常适合电池场合

 封装形式:SOP16(宽体)

2.描述

EG2113S 是一款高性价比的大功率 MOS 管、IGBT 管栅极驱动专用『芯片』,内部集成了逻辑信号输入处理

电路、死区时控制电路、闭锁电路、电平位移电路、脉冲滤波电路及输出驱动电路,专用于无刷电机控制

器中的驱动电路。

EG2113S 高端的工作电压可达 600V,低端 Vcc 的电源电压范围宽 2.8V~20V,静态功耗小于 5uA。该芯

片具有闭锁功能防止输出功率管同时导通,输入通道 HIN 和 LIN 内建了一个 200K 下拉电阻,在输入悬空时

使上、下功率 MOS 管处于关闭状态,输出电流能力 IO+/- 2A/2A,采用 SO16(宽体)封装。

3.应用领域

 正弦波逆变器

 变频水泵控制器

 方波逆变器

 电动车控制器

 无刷电机驱动器

 高压 Class-D 类功放

1 8 1 2 3 6 1 7 0 7 5(VX同号)

特别声明:[EG2113S『芯片』 大功率MOS管、IGBT管栅极驱动『芯片』] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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