矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=20V, ID=2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。

矽源特ChipSourceTek-MX2301B Description:

矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=-20V, ID=-2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。

The 矽源特ChipSourceTek-MX2301B uses advanced trench technology to provide excellent RDS(ON), low gate charge and operation with gate. This device is suitable for use as a low switch or in PWM applications.

矽源特ChipSourceTek-MX2301B General Feature:

VDS=-20V, ID=-2.3A

RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V

RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V

High Power and current handing capability

Lead free product is acquired

Surface Mount Package

矽源特ChipSourceTek-MX2301B Application:

PWM applications

Load switch

Power management

矽源特ChipSourceTek-MX2301B Pinout:

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矽源特ChipSourceTek-MX2301B Ordering Information:

今日霍州(www.jrhz.info)©️

Part Number/矽源特ChipSourceTek-MX2301B

StorageTemperature/-55°C to 150°C

Package/SOT-23

Devices Per Reel/3000

矽源特ChipSourceTek-MX2301B Test Circuit And Waveforms:

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特别声明:[矽源特ChipSourceTek-MX2301B是VDS=20V, ID=2.3A,RDS(ON)(Typ.)=89mΩ@VGS=-4.5V,RDS(ON)(Typ.)=110mΩ@VGS=-2.5V的P沟道增强型Mosfet。提供SOT-23封装。] 该文观点仅代表作者本人,今日霍州系信息发布平台,霍州网仅提供信息存储空间服务。

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