CMP后晶圆清洗是『半导体』制造中的关键工艺，旨在去除化学机械抛光（CMP）过程中产生的残留物和污染物，确保晶圆表面的洁净度。
目的：初步去除晶圆表面的大部分杂质和污染物，为后续更精细的清洗步骤打下基础。
方法：通常使用去离子水（DI Water）或其他化学溶液进行浸泡、喷洗等操作。例如，一些简单的预清洗可能会采用酸性或碱性溶液对晶圆进行初步处理，以去除表面的一些易溶性杂质。
去胶
目的：CMP 过程中，晶圆表面可能会残留一些抛光胶，这些胶会影响后续工艺，需要彻底去除。
方法：一般使用特定的化学溶液进行。比如，可能会用到有机溶剂或碱性溶液对晶圆进行浸泡和喷洗，使胶水溶解并脱离晶圆表面。
颗粒去除
目的：晶圆表面的颗粒污染物会严重影响器件性能，必须有效去除。
方法：常用的方法包括超声波清洗、兆声清洗等物理作用方式。超声波清洗是通过高频振动产生微小气泡，气泡破裂时产生的冲击力将颗粒从晶圆表面剥离；兆声清洗则是利用高能频振效应结合清洗剂的化学反应，使溶液分子加速运动，产生高速流体力学层连续冲击晶圆表面，去除附着的微粒。
金属离子去除
目的：防止金属离子对器件的电性能和可靠性造成不良影响。
方法：通常使用特定的化学溶液，这些溶液可以与金属离子形成络合物并将其溶解在溶液中。例如，在酸性溶液中，金属离子的去除性较好，但要注意避免对晶圆表面造成腐蚀；在碱性溶液中，虽然颗粒去除性较好，但金属离子容易形成氢氧化物等沉淀，难以去除，所以常添加络合剂来防止金属离子析出。
最终清洗
目的：彻底去除晶圆表面的所有残留物和污染物，确保晶圆表面的洁净度达到要求。
方法：一般使用高纯度的去离子水进行多次冲洗，可能还会结合有机溶剂进行最后的清洗和干燥，以保证晶圆表面无残留的水渍和其他污染物。
