2月20日消息，据外媒报道，『三星电子』副会长兼联席CEO，负责存储『芯片』、晶圆代工等『芯片』业务的设备解决方案业务部门主管全永鉉（Jun Young Hyun），在上周到访了『英伟达』的总部。
从外媒的报道来看，全永鉉上周前往『英伟达』的总部，是有重要的业务，他携带有他们改进了设计的1b DRAM样品，1b DRAM将用于制造高带宽存储器（HBM）。
1b DRAM是第五代10nm制程工艺的DRAM，主要是用于制造HBM3E，『三星电子』去年打算开始用1b DRAM制造高带宽存储器，但遇到了良品率和过热的问题，『英伟达』也因此要求『三星电子』改进他们1b DRAM的设计。全永鉉上周前往『英伟达』总部所携带的样品，正是设计改进后的成果。
外媒在报道中提到，『三星电子』『芯片』业务部门的主管亲自向客户展示样品非常罕见，但这也凸显了他们对『英伟达』及HBM3E订单的重视。全永鉉亲自到『英伟达』总部，很可能还是为了确保来自『英伟达』的订单。
在报道中，外媒还提到，在1b DRAM出现良品率和过热的问题之后，『三星电子』曾打算采用1a DRAM，也就是1b DRAM的前一代，制造HBM3E，在HBM4上则是跳过1b DRAM，采用1c DRAM，但『英伟达』还是要求他们采用1b DRAM制造HBM3E，『三星电子』方面也因此对1b DRAM的设计进行改进，以克服所遇到的问题。
HBM是『英伟达』为OpenAI、Meta、xAI等厂商供应的人工智能『芯片』的重要组成部分，较DRAM价格更高，如果能获得『英伟达』的大单，就将大幅提升业绩。
与『三星电子』还在向『英伟达』提供样品、寻求获得订单不同，他们的竞争对手SK海力士，已经在向『英伟达』供应1b DRAM制造的HBM3E。（海蓝）
