近日，格力电器、芯联集成两家公司分别获得一项实用新型专利授权。
格力电器专利名为“碳化硅肖特基『半导体』器件及其制造方法”，专利申请号为CN202010940924.5，授权日为2025年2月7日。
source：国家知识产权局
专利摘要显示，本发明涉及一种碳化硅肖特基『半导体』器件及其制造方法，其包括第一电子型『半导体』层、第二电子型『半导体』层、第一空穴型『半导体』层、第二空穴型『半导体』层、第一阳极结构、第二阳极结构和阴电极层。其中，第一阳极结构设置在第二电子型『半导体』上，第二阳极结构设置在第二空穴型『半导体』层上，第一电子型『半导体』层的掺杂浓度大于第二电子型『半导体』层的掺杂浓度，第一空穴型『半导体』层的掺杂浓度小于第二空穴型『半导体』层的掺杂浓度。
该碳化硅肖特基『半导体』器件及其制造方法可以解决现有碳化硅肖特基『半导体』器件难以在降低正向工作电压的同时提高击穿电压的问题，进而降低碳化硅肖特基『半导体』器件正向导通的损耗，提高碳化硅肖特基『半导体』器件的工作效率。
芯联集成专利名为“『半导体』器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件”，专利申请号为CN202421074447.9，授权日为2025年2月7日。
source：国家知识产权局
芯联集成专利摘要显示，本实用新型提供了一种『半导体』器件及集成有超势垒整流器的碳化硅器件。该『半导体』器件包括衬底；位于衬底上的多个第一栅极介质层和多个第一栅极导电层，用于构成多个晶体管器件，第一栅极导电层沿着第一方向延伸，多个第一栅极导电层沿着第二方向依次排布，并使多个第一栅极导电层的端部相互电连接，其中部分相邻的第一栅极导电层的端部相互连接而定义出整流区；位于衬底上的第二栅极介质层和第二栅极导电层，用于构成超势垒整流器，第二栅极介质层和第二栅极导电层依次堆叠在整流区内，第二栅极介质层的厚度小于第一栅极介质层的厚度，第二栅极导电层的长度小于第一栅极导电层的长度。本实用新型有利于缩减电路规模，降低『芯片』制造成本。
