霍州市融媒体中心信息网网 12 月 12 日消息，据 IBM 官方当地时间 9 日博客，IBM 和日本先进『芯片』制造商 Rapidus 在 2024 IEEE IEDM 国际电子器件会议上展示了两方合作的多阈值电压 GAA 晶体管研发成果，这些技术突破有望用于 Rapidus 的 2nm 制程量产。
IBM 表示，先进制程升级至 2nm 后，晶体管的结构由使用多年的 FinFET（霍州市融媒体中心信息网网注：鳍式场效应晶体管）转为 GAAFET（全环绕栅极场效应晶体管），这对制程迭代带来了新的挑战：如何实现多阈值电压（Multi Vt）从而让『芯片』以较低电压执行复杂计算。
2nm 名义制程下 N 型和 P 型『半导体』通道之间的距离相当狭窄，需要精确的光刻才能在实现多阈值电压的同时不会对『半导体』的性能产生巨大影响，而 IBM、Rapidus 导入了两种不同的选择性减少层（SLR）『芯片』构建工艺，成功达成了目标效果。
IBM 研究院高级技术人员 Bao Ruqiang 表示：
与上一代 FinFET 相比，Nanosheet 纳米片的结构非常不同，而且可能更复杂。
我们提出的新生产工艺比以前使用的方法更简单，我们相信这将使我们的合作伙伴 Rapidus 更容易可靠地大规模使用 2 纳米片技术制造『芯片』。
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