随着人工智能、5G 通信、汽车电子、高性能计算等新兴技术的迅猛发展，市场对于『芯片』的性能、功耗、集成度等要求日益严苛，促使各大『半导体』厂商纷纷以前所未有的力度加大在先进封装技术研发和产能扩充上的投入，力求在高端市场占据一席之地，以满足终端市场对于先进『芯片』不断增长的需求，进而在全球『半导体』产业链中抢占更为有利的战略位置。近日晶圆代工大厂格芯和台积电都相继在先进封装上发力，美国商务部也加大对先进封装补贴力度。
格芯42亿元建先进封装与光子学中心
1月17日，晶圆代工大厂格芯(GlobalFoundries)宣布，将在其位于纽约州马耳他的晶圆厂建造一个先进封装与光子学中心。
图片来源：格芯官网截图
随着人工智能、汽车、航空航天和国防以及通信等领域的快速发展，对硅光子学和基本『芯片』的需求与日俱增。格芯此次的投资决策是为了满足这些关键终端市场的需求。人工智能的成长成为推动先进封装技术发展的重要驱动力，硅光子学以及3D和异构整合『芯片』的采用能够更好地符合『数据中心』和边缘运算设备对于功率、频宽和密度的严格要求。
在技术层面，该先进封装与光子学中心具有多方面的技术优势和功能。此次格芯扩建将提供硅光子学的组装和测试，通过结合光学和电气元件，相较于仅依赖硅和铜的『芯片』，能实现更好的效率和性能。未来，该中心还将提供差异化硅光子学平台的先进封装、组装和测试，将光学和电子元件整合在单个『芯片』上，以获取功率效率和性能方面的显著优势。据悉，该中心还将采用12LP+、22FDX和其他领先平台，提供先进封装、晶圆对晶圆键合、3D和异构集成『芯片』组装和测试的新生产能力。
公开资料显示，格芯整个设施的投资金额预计为5.75亿美元💵（约42.0722亿元人民币），未来十年内还需1.86亿美元💵的研发成本。美国纽约州政府也将提供2,000万美元💵的资金来支持该计划，先前美国商务部根据《『芯片』法案》向格芯提供的15亿美元💵直接拨款以及16亿美元💵贷款，也将对该项计划起到支援作用。
台积电先进封装再扩产，计划再盖两座CoWoS新厂？
1月20日，据台媒《经济日报》报道，为应对旺盛的CoWoS先进封装产能需求，传台积电计划在南科三期再盖两座CoWoS新厂，投资金额估逾2000亿元（新台币，下同）。
如果加上台积电正在嘉科园区建设的CoWoS新厂，短期内总计将扩充八座CoWoS厂，其中南科至少有六座。近期市场关于『英伟达』砍单台积电CoWoS的传闻不断，但『英伟达』CEO黄仁勋近日回应称，并没有缩减CoWoS产能需求，反而还要增加产能，并转换为多一些对CoWoS-L的产能需求。台积电董事长魏哲家也明确表示，公司正持续扩产CoWoS，以满足客户需求。
据了解，台积电这次在南科盖CoWoS新厂，将落脚南科三期，土地面积高达25公顷。以嘉科CoWoS新厂投资约2000亿元计算，此次在南科三期投资额也将“比照办理”，自2,000亿元起跳。供应链透露，台积电在今年1月中旬向南科管理局提出租地简报，获正向响应，采购单位即已第一时间启动建厂计划。预计3月开始整地，两座南科三期CoWoS新厂将于2026年4月即可完工，并有望开始装机。
美国商务部加大对先进封装补贴力度
1月17日，美国商务部也有大动作，“『芯片』法案”国家先进封装制造计划（NAPMP）敲定了14亿美元💵的奖励资金，旨在加强美国先进封装制造能力。根据相关计划，美国商务部将向AbsolicsInc.、应用材料（AppliedMaterialsInc.）和亚利桑那州立大学提供总计3亿美元💵的资金，用于先进衬底和材料研究。
其中，AbsolicsInc.将获得1亿美元💵的直接融资，支持其
SubstrateandMaterialsAdvancedResearchandTechnology（SMART）封装计划，帮助构建玻璃芯封装生态系统，其玻璃基板将用作一种重要的先进封装技术，可提高人工智能、高性能计算和『数据中心』的尖端『芯片』的性能。
应用材料公司将获得1亿美元💵的直接融资，用于开发和扩展一种颠覆性的硅核衬底技术，用于下一代先进封装和3D异构集成。
亚利桑那州立大学将获得1亿美元💵的直接资助，支持通过扇出晶圆级工艺（FOWLP）开发下一代微电子封装，探索300毫米晶圆级和600毫米面板级制造的商业可行性。
此外，美国商务部还宣布向NatCast提供11亿美元💵，用于运营ChipsforAmericansTC原型制造和NAPMP先进封装试验设施（PPF）的先进封装能力。
