AI电源设计“第一课”:从原理出发推导MOS管的所有关键参数
如果您脑海中的第一反应仍然是死记硬背的“选择低Rds(on)和低Qg的MOS管”,那么您可能已经陷入了经验主义的陷阱。这时,我们发现了电源『工程师』的核心挑战:Rds(on)和Qg之间存在固有的权衡关系。 决策…
如果您脑海中的第一反应仍然是死记硬背的“选择低Rds(on)和低Qg的MOS管”,那么您可能已经陷入了经验主义的陷阱。这时,我们发现了电源『工程师』的核心挑战:Rds(on)和Qg之间存在固有的权衡关系。 决策…

当控制端为低电平时,PMOS 导通,VCC_OUT 有电压输出,且VCC_IN ≈ VCC_OUT 反之,当 PWR_CON为低电平时,NMOS 关断,从而使 PMOS 也断开,这样就完成了 VCC_IN…

基于B3M010C075Z SiC MOSFET的技术参数,其在固态断路器(SSCB)中的应用潜力分析如下:雪崩耐量设计增强抗浪涌能力,适合应对断路器分断时的电压尖峰。 B3M010C075Z是SSCB的理…
